SiC-シリコンカーバイド | フェニテックセミコンダクター株式会社

SiCデバイスはシリコンカーバイド(SiC)を使った高性能な半導体デバイスで、
高い耐圧性や耐熱性を持ち、効率的な電力変換が可能です。
スイッチング速度が速く電力損失が少ないため、
特に電気自動車や再生可能エネルギー分野での利用が増加しています。
従来のシリコンデバイスよりも省エネで効率化が期待され、
高温や高電圧環境に適したパワーエレクトロニクス分野で活用されています。

製品情報

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SiC SBD

MP 650V 6A Gen.4 (SN0606G4)

MP 650V 10A Gen.3 (SN0610G3)

MP 650V 8A Gen.4 (SN0608G4)

MP 650V 20A Gen.3 (SN0620G3)

MP 650V 10A Gen.4 (SN0610G4)

MP 1200V 10A Gen.3 (SN1210G3)

開発中 2200V

開発中 3300V

SiC MOSFET

RS 1200V 22A Planer（MN1222G2）

RS 1200V 50A Planer (MN1250G2)

RS 1200V 80A Planer (MN1280G2)

開発中 650V 50A Planer (MN0650G2)

開発中 2000V 50A Planer (MN2050G2 )

開発中 3000V 50A Planer (MN3050G2)

開発中 1200V Trench

Research on SiC

フェニテックは産総研の「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC)」に参画し、株式会社サイコックス製の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」を使用したSiCデバイスの開発研究をすすめています。

ICSCRM

2024

Superior Characteristics of Body Diode in DMOSFET Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrate

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先進パワー半導体分科会

2024

貼り合わせSiC基板上の1.2 kV 耐圧トレンチ型MOSFETの順方向バイアス劣化試験評価, 先進パワー半導体分科会2024

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先進パワー半導体分科会

2023

4H-SiC 貼り合わせ基板上に形成された4H-SiC PiN ダイオードの順方向バイアス劣化抑制に関する解析

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先進パワー半導体分科会

2023

貼り合わせＳｉＣ基板を用いた１.２ｋＶ耐圧ＳｉＣトレンチ型ＭＯＳＦＥＴの特性評価

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ICSCRM

2022

Reduction of Forward Bias Degradation in 4H-SiC PiN Diodes Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrates

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先進パワー半導体分科会

2022

4H-SiC接合基板上に形成された4H-SiC_PiNダイオードの順方向バイアス劣化評価

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先進パワー半導体分科会

2020

貼り合わせSiC基板を用いた熱処理不要なオーミックコンタクトの実現

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先進パワー半導体分科会

2019

低コストな貼り合わせSiC基板を用いたSBDデバイス特性評価

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