SiC
SiCデバイスはシリコンカーバイド(SiC)を使った高性能な半導体デバイスで、
高い耐圧性や耐熱性を持ち、効率的な電力変換が可能です。
スイッチング速度が速く電力損失が少ないため、
特に電気自動車や再生可能エネルギー分野での利用が増加しています。
従来のシリコンデバイスよりも省エネで効率化が期待され、
高温や高電圧環境に適したパワーエレクトロニクス分野で活用されています。
高い耐圧性や耐熱性を持ち、効率的な電力変換が可能です。
スイッチング速度が速く電力損失が少ないため、
特に電気自動車や再生可能エネルギー分野での利用が増加しています。
従来のシリコンデバイスよりも省エネで効率化が期待され、
高温や高電圧環境に適したパワーエレクトロニクス分野で活用されています。
製品情報
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SiC SBD
開発中 2200V
開発中 3300V
SiC MOSFET
開発中 MOSFET 1200V 20A Planer
開発中 MOSFET 1200V 20A Trench
開発中 MOSFET 1200V 50A Planer
開発中 MOSFET 1200V 50A Trench
開発中 MOSFET 1200V 100A Planer
開発中 MOSFET 1200V 100A Trench
開発中 MOSFET 2200V Trench
開発中 MOSFET 2200V Trench
Research on SiC
フェニテックは産総研の「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC)」に参画し、株式会社サイコックス製の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」を使用したSiCデバイスの開発研究をすすめています。
Superior Characteristics of Body Diode in DMOSFET Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrate
貼り合わせSiC基板上の1.2 kV 耐圧トレンチ型MOSFETの順方向バイアス劣化試験評価, 先進パワー半導体分科会2024
4H-SiC 貼り合わせ基板上に形成された4H-SiC PiN ダイオードの順方向バイアス劣化抑制に関する解析
貼り合わせＳｉＣ基板を用いた１.２ｋＶ耐圧ＳｉＣ トレンチ型ＭＯＳＦＥＴの特性評価
Reduction of Forward Bias Degradation in 4H-SiC PiN Diodes Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrates
4H-SiC接合基板上に形成された4H-SiC_PiNダイオードの順方向バイアス劣化評価
貼り合わせSiC基板を用いた熱処理不要なオーミックコンタクトの実現
低コストな貼り合わせSiC基板を用いたSBDデバイス特性評価
ファウンドリ
SiCデバイスファウンドリ
お客様のデバイスもファウンドリできますのでお気軽にご相談ください。
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