製品情報
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開発中製品
Split Gate MOS FET
- VDSS 60V
- VGSS 20V
- RDS(ON) 5.7mΩ
- ID 40A
- Low RDS(ON)
- High energy effeciancy
- ESD protected
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その他VDSS40V、100V、150Vを開発予定です。また、お客様ご要望のIDに対応可能です。
Field Stop IGBT
- VCES 650V
- IC 40A
- Fine Cell Pitch and optimized Emitter structure
→Good balance of DC and AC performances - Deep Trench Gate
→Low Vcesat
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その他1200V/75A を開発予定です。
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