SiC
SiC器件是一种采用碳化硅（SiC）的高性能半导体器件，具有高耐压性和耐热性，并能实现高效率的电力转换。
由于其快速的开关速度和低功率损耗，尤其在电动汽车和可再生能源领域的应用正在增加。
与传统硅器件相比，SiC器件在节能和效率方面更具优势，并广泛应用于功率电子领域，可适用于高温和高电压环境。
由于其快速的开关速度和低功率损耗，尤其在电动汽车和可再生能源领域的应用正在增加。
与传统硅器件相比，SiC器件在节能和效率方面更具优势，并广泛应用于功率电子领域，可适用于高温和高电压环境。
产品信息
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SiC SBD
开发中
2200V
开发中
3300V
SiC MOSFET
开发中
MOSFET 1200V 20A Planer
开发中
MOSFET 1200V 20A Trench
开发中
MOSFET 1200V 50A Planer
开发中
MOSFET 1200V 50A Trench
开发中
MOSFET 1200V 100A Planer
开发中
MOSFET 1200V 100A Trench
开发中
MOSFET 2200V Trench
开发中
MOSFET 2200V Trench
Research on SiC
Phenitec参与了日本产业技术综合研究所的“筑波功率电子星座（TPEC）”项目，并使用株式会社SICOXS制造的SiC贴合基板“SiCkrest”，推进SiC器件的开发研究。
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Superior Characteristics of Body Diode in DMOSFET Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrate
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SiC贴合基板上的1.2kV耐压沟槽型MOSFET的正向偏压劣化试验评估，先进功率半导体分科会2024
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对于形成于4H-SiC贴合基板上的4H-SiC PiN二极管的正向偏压劣化抑制的相关分析
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采用SiC贴合基板的1.2kV耐压SiC沟槽型MOSFET的特性评估
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Reduction of Forward Bias Degradation in 4H-SiC PiN Diodes Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrates
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形成于4H-SiC接合基板上的4H-SiC_PiN二极管的正向偏压劣化评估
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采用SiC贴合基板实现无需热处理的欧姆接触
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采用低成本SiC贴合基板的SBD器件的特性评估
代工
SiC器件代工
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