フェニテックセミコンダクター株式会社 SiC-碳化硅

SiC

碳化硅

TOPPhenitec半导体株式会社产品信息SiC-碳化硅
SiC器件是一种采用碳化硅（SiC）的高性能半导体器件，具有高耐压性和耐热性，并能实现高效率的电力转换。
由于其快速的开关速度和低功率损耗，尤其在电动汽车和可再生能源领域的应用正在增加。
与传统硅器件相比，SiC器件在节能和效率方面更具优势，并广泛应用于功率电子领域，可适用于高温和高电压环境。

产品信息

点击右端带有 的按钮即可查看数据表 (pdf格式)。

SiC SBD

MP 650V 6A Gen.4 (SN0606G4)
MP 650V 10A Gen.3 (SN0610G3)
MP 650V 8A Gen.4 (SN0608G4)
MP 650V 20A Gen.3 (SN0620G3)
MP 650V 10A Gen.4 (SN0610G4)
MP 1200V 10A Gen.3 (SN1210G3)
开发中 2200V
开发中 3300V

SiC MOSFET

RS 1200V 22A Planer（MN1222G2）
RS 1200V 50A Planer (MN1250G2)
RS 1200V 80A Planer (MN1280G2)
开发中 650V 50A Planer (MN0650G2)
开发中 2000V 50A Planer (MN2050G2 )
开发中 3000V 50A Planer (MN3050G2)
开发中 1200V Trench

Research on SiC

Phenitec参与了日本产业技术综合研究所的“筑波功率电子星座（TPEC）”项目，并使用株式会社SICOXS制造的SiC贴合基板“SiCkrest”，推进SiC器件的开发研究。

  • ICSCRM
    2024

    Superior Characteristics of Body Diode in DMOSFET Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrate

    查看PDF
  • 先进功率半导体分科会
    2024

    SiC贴合基板上的1.2kV耐压沟槽型MOSFET的正向偏压劣化试验评估，先进功率半导体分科会2024

    查看PDF
  • 先进功率半导体分科会
    2023

    对于形成于4H-SiC贴合基板上的4H-SiC PiN二极管的正向偏压劣化抑制的相关分析

    查看PDF
  • 先进功率半导体分科会
    2023

    采用SiC贴合基板的1.2kV耐压SiC沟槽型MOSFET的特性评估

    查看PDF
  • ICSCRM
    2022

    Reduction of Forward Bias Degradation in 4H-SiC PiN Diodes Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrates

    查看PDF
  • 先进功率半导体分科会
    2022

    形成于4H-SiC接合基板上的4H-SiC_PiN二极管的正向偏压劣化评估

    查看PDF
  • 先进功率半导体分科会
    2020

    采用SiC贴合基板实现无需热处理的欧姆接触

    查看PDF
  • 先进功率半导体分科会
    2019

    采用低成本SiC贴合基板的SBD器件的特性评估

    查看PDF

代工

SiC器件代工

我们也可提供客户器件的代工服务，欢迎随时咨询。