产品信息
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Bipolar Transistor
开发中产品
Split Gate MOS FET
- VDSS 60V
- VGSS 20V
- RDS(ON) 5.7mΩ
- ID 40A
- Low RDS(ON)
- High energy effeciancy
- ESD protected
详细信息请查看PDF
另计划开发VDSS40V、100V、150V产品。还可满足客户指定的ID需求。
Field Stop IGBT
- VCES 650V
- IC 40A
- Fine Cell Pitch and optimized Emitter structure
→Good balance of DC and AC performances - Deep Trench Gate
→Low Vcesat
详细信息请查看PDF
另计划开发1200V/75A产品。
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