SiCデバイス・研究実績
SiC device -Products & Research
Products of SiC
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Research of SiC
フェニテックは産総研の「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション（TPEC）」に参画し、株式会社サイコックス製の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」を使用したSiCデバイスの開発研究をすすめています。
我々の研究成果をご紹介します（クリックするとpdfを表示します）
-4H-SiC 貼り合わせ基板上に形成された4H-SiC PiN ダイオードの順方向バイアス劣化抑制に関する解析 ， 先進パワー半導体分科会2023
-貼り合わせＳｉＣ基板を用いた１.２ｋＶ耐圧ＳｉＣ トレンチ型ＭＯＳＦＥＴの特性評価 ， 先進パワー半導体分科会2023
-ICSCRM2022 Reduction of Forward Bias Degradation in 4H-SiC PiN Diodes Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrates
-4H-SiC接合基板上に形成された4H-SiC_PiNダイオードの順方向バイアス劣化評価,先進パワー半導体分科会2022
-貼り合わせSiC基板を用いた熱処理不要なオーミックコンタクトの実現,先進パワー半導体分科会2020
-低コストな貼り合わせSiC基板を用いたSBDデバイス特性評価,先進パワー半導体分科会2019
