カスタムファウンドリ
Custom FOUNDRY Service
Custom FOUNDRY Service
フェニテックは5inch・6inchの製造ラインでエピタキシャル成長からのウェハプロセス、ウェハ検査・テストを日本国内で一貫して行うウェハファウンドリ事業を展開しています。
創業当初から培ってきた技術力と対応力で、お客様のさらなる発展に貢献できるサービスと製品を提供いたします。
対応デバイスについて
マスクデータとプロセス情報をご提供いただきウェハプロセスを構築する”デザイン移管＋プロセス移管型”サービス、 お客様がデザインされたデバイスのプロセス設計から生産までを行う”デザイン移管型”サービスによりお客様に最良の製品をご提供します。ウェハプロセスはエピタキシャルからウェハ検査・テストまでを自社一貫対応可能です。パッケージングは対応しておりませんが、ダイシングは提携工場がございます。また、部分加工の受託も承っております。詳しくは営業スタッフまでお問合せください。
受託実績例とプロセス能力
| 製品 | 仕様 | 関連主要装置 |
| MOSFET | Planer Trench Split Gate |
Stepper（g線/i線） W-Plug CMP Deep RIE |
| IGBT | Planer/Non Punch Through Planer/Punch Through Trench/Field Stop |
TAIKO Laser Anneal High Energy Impact（2-3MeV） |
| CMOS | 0.35μm/6V/2Poly-3Metal 0.6μm/6V/2Poly-2Metal 5V-42V/1Poly-3Metal |
WSi W-Plug CMP |
| Diode | Fast Recovery Diode Photo Diode Ze Diode Shottky Barrier Diode Switching Diode |
重金属拡散 Metal Sputtering |
| Bipolar Transistor | NPN Transistor:BVCEO（〜800V） PNP Transistor:BVCEO（〜600V） |
|
| TVS | Single/Anode Common/Bi-Direction Bi-Direction ESD≧8kV Uni-Direction ESD≧8kV〜15kV |
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| Bipolar IC | BVCEO 40V | |
| MEMS | 部分加工のみ | Deep RIE |
| その他 | ウェハ検査・テスト ダイシング |
Laser-Trimming 数社提携工場あり |
化合物半導体
物質特性に優れ、データセンター、産業機器、EV（電気自動車）、鉄道車両向けなどへのPFC回路やインバーターなどへの活用が進む化合物半導体。脱炭素社会の実現に向け注目を浴びているこの分野にも当社は取り組んでいます。 長年培ってきたパワーデバイス開発のノウハウを活用し、SiC（シリコンカーバイド）・Ga2O3（酸化ガリウム）を用いたパワー半導体の研究・開発をすすめ、量産化を目指しています。 なおGaN（窒化ガリウム）では部分加工の開発実績もございます。SiCはSBDデバイスのサンプル出荷を開始し、MOSFETの開発をすすめています。
SiCについては特設ページを公開しています。ぜひご覧ください。
| 化合物 | デバイス・仕様 | 関連主要装置 |
| SiC （シリコンカーバイド） |
MOSFET SBD |
HT Impla Activation anneal（post implant anneal） RIE RTA |
| Ga2O3 （酸化ガリウム） |
SBD | |
| GaN （ガリウムナイトライド） |
生産体制
生産拠点
岡山に2箇所、鹿児島に1箇所の生産拠点があります。工場ごとに対応デバイスが異なります。詳しくは「拠点情報」をご覧ください。
取得認証について
品質規格についてはISO9001：2015とIATF16949：2016を、環境・労働安全衛生規格についてはISO14001：2015、ISO45001:2018を取得済みです。詳しくは「品質、環境・安全への取組み」をご覧ください。
シャトルサービス
複数のお客様、または複数のチップの開発で共同利用が可能なCMOSシャトルサービスを提供しております。
複数のお客様が同じレチクル内に乗り合わせることで、低価格にて試作を行うことが出来ます。
