製造情報
フェニテックは、5inch・6inchのラインを使ってエピタキシャル成長から
ウェハープロセス、ウェハー検査・テストまでを一貫して製造する
ファウンドリーサービスを日本国内で展開しています。
創業当初から培ってきた技術⼒と対応⼒で、
お客様のさらなる発展に貢献できるサービスと製品を提供いたします。
ウェハープロセス、ウェハー検査・テストまでを一貫して製造する
ファウンドリーサービスを日本国内で展開しています。
創業当初から培ってきた技術⼒と対応⼒で、
お客様のさらなる発展に貢献できるサービスと製品を提供いたします。
製造キャパシティ
岡山第1工場
ウェハ製造能力 5inch 29,000 枚/月 (ダイオード,トランジスタなど)
6inch 27,000 枚/月 (MOSFET,トランジスタなど)
6inch 27,000 枚/月 (MOSFET,トランジスタなど)
鹿児島工場
ウェハ製造能力 6inch 19,000 枚/月 (CMOS IC,MOSFETなど)
受託可能製品
IC
- CMOS
- バイポーラ
- ミックスドシグナル
- センサー
- トリミング
- 〜中電圧
パワーMOSFET
- プレーナ
- トレンチ
- SJ
- 〜1,200V
IGBT
- プレーナー
- トレンチ
- PT
- NPT
- FS
- 〜3,000V
トランジスタ
- 小信号
- 高速スイッチング
- 〜500V
- JFET
ダイオード
- PN
- SB
- フォト
- 高速スイッチング
- 〜1,600V
TVS
- プレーナー
- トレンチ
- 超低容量
化合物
- SiC
- GaN
- GaAs
- Ga2O3
MEMS
部分加工
受託可能工程
成膜
エピ
- 枚葉
- バッチ
- ボロン
- リン
- 〜50um
酸化
- ドライ
- ウェット
- パイロ
SOG
- ノンドープ
- ボロン
- アンチモン
CVD
- SiO
- SiN
- TEOS
- SiON
- PSG
- BPSG
- PolySi
- W
- Doped-PolySi
スパッタ/蒸着/メッキ
- Al
- AlSi
- AlCu
- AlSiCu
- Ti
- TiN
- WSi
- Mo
- Ni
- Au
- Ag
- Pt
- Si
フォトリソグラフィ―
- i線
- g線
- MPA
- ポジレジスト
- ポリイミド
- ネガレジスト
拡散/アニール
- ファーネス
- ランプ
- 重金属拡散
- リンデポ
エッチング
- ドライ
- ウェット
- ディープトレンチ
CMP
- SiO
- W
- Si
イオン注入
- 高エネルギー
- 中電流
- 大電流
- B+
- P+
- As+
- Sb+
- BF2+
WT
- ロジック
- アナログ
- 〜2,000V
- レーザートリミング
裏面加工
ダイシング
プロセステクノロジー
加工線幅
- 0.35um〜
層間平坦化
- CMP
- SOG
メタル配線
- 〜5um厚
- 〜4層構造
- Wプラグ
- リフトオフ
裏面加工
- 70um厚〜
- グラインド
- Siエッチ
- イオン注入
- レーザーアニール
- TAIKO
CMOSシャトル
複数のお客様、または複数のチップの開発で共同利⽤が可能なCMOSシャトルサービスを提供しております。
複数のお客様が同じレチクル内に乗り合わせることで、低価格にて試作を⾏うことが出来ます。
概要
- ダブルWELL 1P3M CMOS プロセス
- 電源電圧5V
- 最⼩ゲート⻑0.6um
提供環境
プラットフォーム
チップサイズ3.6x3.6（mm）
LQFP 80pin 対応モデル
80PAD（座標固定）
チップサイズ1.8x1.8（mm）
LQFP 80pin 対応モデル
80PAD（座標固定）
設計環境
- デザインルール表
- Spiceパラメータファイル
- ユーザーズマニュアル
- Cadence社Technologyファイル
- Jedat社SX-Meister®初期設定ファイル、
検証ルールファイル - シーメンス社Calibre ®検証ルールファイル
- サンブルレイアウト【PADセル（ESD保護素⼦含む）、
抵抗、容量、ダイオード】 - 論理合成・⾃動配置配線ツール対応環境（GDS/、DB/LEF/.LIB）
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