フェニテックセミコンダクター株式会社 代工 (OEM)

制造信息

代工(OEM)

TOPPhenitec半导体株式会社产品信息代工 (OEM)
Phenitec利用5英寸和6英寸的生产线，在日本国内推广从外延生长到晶圆工艺、晶圆检测与测试的一条龙制造代工服务。
凭借自公司创立以来积累的技术实力和应对能力，提供能够助力客户进一步发展的服务和产品。
制造能力
可承接产品
可承接工序
工艺技术
CMOS拼片

制造能力

冈山第一工厂

晶圆制造能力 5英寸 29,000片/月 (二极管、晶体管等)
6英寸 27,000片/月 (MOSFET、晶体管等)

鹿儿岛工厂

晶圆制造能力 6英寸 19,000片/月 (CMOS IC、MOSFET等)

可承接产品

IC

  • CMOS
  • 双极
  • 混合信号
  • 传感器
  • 修整
  • ~中电压

功率MOSFET

  • 平面型
  • 沟槽型
  • SJ
  • ~1,200V

IGBT

  • 平面型
  • 沟槽型
  • PT
  • NPT
  • FS
  • 〜3,000V

晶体管

  • 小信号
  • 高速开关
  • 〜500V
  • JFET

二极管

  • PN
  • SB
  • 光电二极管
  • 高速开关
  • 〜1,600V

TVS

  • 平面型
  • 沟槽型
  • 超低电容

化合物

  • SiC
  • GaN
  • GaAs
  • Ga2O3

MEMS

部分加工

可承接工序

成膜

外延

  • 单片
  • 批次
  • 硼
  • 磷
  • 〜50um

氧化

  • 干法
  • 湿法
  • 叶蜡石

SOG

  • 非掺杂
  • 硼
  • 锑

CVD

  • SiO
  • SiN
  • TEOS
  • SiON
  • PSG
  • BPSG
  • PolySi
  • W
  • Doped-PolySi

溅射/蒸镀/电镀

  • Al
  • AlSi
  • AlCu
  • AlSiCu
  • Ti
  • TiN
  • WSi
  • Mo
  • Ni
  • Au
  • Ag
  • Pt
  • Si

光刻法

  • i线
  • g线
  • MPA
  • 正性光阻剂
  • 聚酰亚胺
  • 负性光阻剂

扩散/退火

  • 炉
  • 灯
  • 重金属扩散
  • 磷沉积

蚀刻

  • 干法
  • 湿法
  • 深沟

CMP

  • SiO
  • W
  • Si

离子注入

  • 高能量
  • 中电流
  • 大电流
  • B+
  • P+
  • As+
  • Sb+
  • BF2+

WT

  • 逻辑
  • 模拟
  • 〜2,000V
  • 激光修整

背面加工

切割

工艺技术

加工线宽

  • 0.35um〜

层间平坦化

  • CMP
  • SOG

金属布线

  • 〜5um厚
  • 〜4层结构
  • W插头
  • 脱膜

背面加工

  • 70um厚〜
  • 研磨
  • Si蚀刻
  • 离子注入
  • 激光退火
  • TAIKO

CMOS拼片

提供CMOS拼片服务，支持多个客户或多种试制芯片的共同开发使用。
通过多个客户共享同一主光罩，可实现低成本试制。

概要

  • 双阱1P3M CMOS工艺
  • 电源电压5V
  • 最小栅长0.6um

提供环境

平台

芯片尺寸3.6x3.6(mm)
兼容LQFP 80pin型号
80PAD(坐标固定)

芯片尺寸1.8x1.8(mm)
兼容LQFP 80pin型号
80PAD(坐标固定)

设计环境

  • 设计规则表
  • Spice参数文件
  • 用户手册
  • Cadence公司技术文件
  • Jedat公司SX-Meister®初始设置文件、验证规则文件
  • 西门子公司Calibre®验证规则文件
  • 样品布局【PAD单元 (含ESD保护元件)、电阻、电容、二极管】
  • 支持逻辑合成、自动配置布线工具的支持环境 (GDS/、DB/LEF/.LIB)
详细概述及时间表请点击此处