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Beyond Next Society
超越下一代社会，挑战更遥远的未来
1968
于10月5日成立新光电器株式会社
资本金1,500万日元
开始制造碳膜固定电阻器
1969
举办第一届公司内部QC小组发布会
1970
开设木之子保育园
为支持员工多元化的工作方式而设立
1976
开始制造半导体（小信号开关二极管）
1979
资本金增资至4,000万日元
1983
开始制造齐纳二极管
1984
开始制造小信号晶体管
资本金增资至8,000万日元
1986
开始制造功率晶体管
1988
开启TPM运动
确立月产8亿个二极管的生产体制
确立月产6亿个晶体管元件的生产体制
1989
EPI（外延生长）工厂竣工
1990
第一工厂竣工
获得PM优秀事业场奖
开始制造MOSFET、CMOS IC、双极IC、肖特基二极管
1995
成立Torex半导体株式会社
1998
公司名称更改为“Phenitec半导体株式会社”
1999
第一工厂6英寸“FAB2”竣工
2001
6英寸生产线开始量产
2002
设立京都设计中心
2003
第一工厂6英寸“FAB3”竣工
2005
资本金增资至3亿3,000万日元
2008
资本金增资至3亿8,000万日元
2009
开始太阳能板的施工与销售
2011
开始SiC开发
2013
开始制造平面型IGBT
2015
10月收购雅马哈鹿儿岛半导体（株）/开始生产
2016
与Torex半导体（株）达成资本业务合作
2018
资本金增资至16亿日元
第一工厂“FAB4”竣工
迎来成立50周年
2019
开始开发氧化镓功率器件
2022
将总部职能迁移至冈山第一工厂
2023
将冈山生产基地整合至第一工厂
2024
鹿儿岛工厂5号馆3楼增设无尘室
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