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個別半導体 バイアス抵抗内型 小信号 パワー バイポーラ トランジスタ MOSFET スイッチング ツエナー ショットキー バリア、ダイオード トライアック サイリスタ CMOS IC BiTR IGBT BRT JFET ZD TVS 5インチ 6インチ ウェーハの受託生産,小量多品種、車載用、産業用、家電用、通信用、IoT、高品質、スピーディな対応、小回り、顧客が設計、開発、レシピ提供、

お客様から製品のマスクデータやプロセス情報を当社にポーティングして頂きます。
ディスクリートからICまで対応可能です。

カスタム・ファンドリーサービスは、当社のオリジナル・ファンドリーサービスではご満足頂けない場合、又はお客様の製品を当社にポーティングされたい場合のファンドリーサービスとなります。
ディスクリート半導体デバイスでは汎用デバイスからパワーデバイス、IGBTまで幅広い製品がファンドリー可能です。更にバイポーラIC、CMOS ICも対応可能です。 
本サービスでは、お客様からマスクデータやプロセス情報をポーティング(移管)して頂きます。この方法は、当社のリソースをフルに活用して、最適なプロセスを構築して、試作・量産を立ち上げるものです。本年2015年10月1日より鹿児島工場で6インチの生産を開始しました。
この鹿児島工場ではMOSFET、IGBTは勿論のこと、CMOS 0.35μmのプロセスを有してアナログCMOSのファンドリーにもお応えしております。

【ファンドリー対応製品】
・MOSFET、Super Junction MOSFET, IGBT、FRD、Trench SBD他
・CMOS IC(0.65μm、0.35μm、0.18μm)
・Bipolar IC
・MEMS

ファンドリーサービスでは、お客様と事前に製品の仕様、マスク、プロセス、レシピ、要求事項等を協議し、試作を行い、プロセス条件を確定し、お客様の承認を経て、量産化に移行します。

カスタムファンドリー製品 MOSFET、Super Junction MOSFET、IGBT、Trench、FRD、SBD、CMOS IC、0.65μm、0.35μm、0.18μm、Biplar IC、MEMS、SiC SDB、ipolar Transistor ウエハ販売 小信号トランジスタ バイポーラトランジスタ フォトダイオード スイッチングダイオード ショットキーバリアダイオード ツェナーダイオード TVS、JFET、IGBT、MOSFET、SBD、ZD、FRD、ファストリカバリーダイオード、半導体、過電圧保護

ディスクリート半導体

  • MOSFET(低~高耐圧)
  • IGBT
  • 小信号トランジスタ
  • パワートランジスタ
  • ダーリントントランジスタ
  • JFET
  • RFトランジスタ
  • スイッチングダイオード
  • ツェナーダイオード
  • ショットキーバリアダイオード
  • フォトダイオード
  • TVSダイオード
  • FRD

CMOS Analog IC / Mixed Signal IC

  • 0.6um PDK ( 提供可 )
  • 0.35um PDK ( 2017年秋リリース予定 )

パイボーラIC

MEMS

SiC

秘密保持契約の締結、プロセス移管会議、要求仕様、マスク仕様、レシピ、製造条件、製造工程、マスクデータのご提供、電気的特性の要求仕様、構造、複製マスク作成、サンプルの特性評価試験、承認、生産、納入、完全な複製

お客様からプロセスフロー/レシピ/マスクデータをご提供頂き、Copy Exactlyのファンドリーとなります。

カスタムファンドリープロセス